Вторник, 08/07/2025, 10:42:59 AM
" VALUE="#FFFFFF">
Начало Регистрация Вход
Вы вошли как "Гость"
Меню сайта
Наш опрос
Оцените мой сайт
1. Отлично
2. Хорошо
3. Нормально
4. Ужасно
5. Плохо

Результаты · Архив опросов

Всего ответов: 68
Новости сайта
» 2006 » Декабрь » 4 » Мобильные 512-Мбит DRAM-чипы Hynix достигают 1,6 Гб/с
Мобильные 512-Мбит DRAM-чипы Hynix достигают 1,6 Гб/с
Компания Hynix Semiconductor разработала 512-Мбит чип памяти DRAM, работающий на частоте 200 МГц (DDR400). Согласно Hynix, её чип на данный момент является самым маленьким и быстрым среди аналогичных устройств. Стоит отметить, что в начале прошлого месяца компания Qimonda также представила свои новые 512-Мбит чипы для мобильных устройств, которые работают на частоте 183 МГц (DDR366).

Используя 32-разрядную шину ввода/вывода, Hynix удалось добиться рекордной скорости обработки данных – 1,6 Гб/с (400 Мбит/с х 32). Новая разработка отлично подойдёт для мобильных устройств, поскольку её габариты составляют всего 8 х 10 мм. Hynix сообщила о том, что она планирует объединить свои 512-Мбит чипы DRAM с флэш-памятью NAND в MCP-модули.

Новые чипы открывают новые возможности производителям портативных устройств. Учитывая сегодняшние потребности в высокопроизводительных мобильных устройствах, новая разработка Hynix является довольно актуальной.

Просмотров: 626 | Добавил: Феликс | Рейтинг: 0.0 |
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Календарь новостей
«  Декабрь 2006  »
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031
Форма входа
Поиск по новостям
Баннеры
Net for PC emule.3dn.Ru Масяня OPPOZIT.RU - все для УРАЛА и ДНЕПРА
Статистика